PUMD3,135

PUMD3,135图片1
PUMD3,135图片2
PUMD3,135图片3
PUMD3,135图片4
PUMD3,135图片5
PUMD3,135图片6
PUMD3,135图片7
PUMD3,135图片8
PUMD3,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PUMD3,135
型号: PUMD3,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSSOP NPN+PNP 50V 100mA
替代型号PUMD3,135
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PUMD3,135

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

MUN5311DW1T1G

安森美

功能相似

PUMD3,135和MUN5311DW1T1G的区别

DCX114YU-7-F

美台

功能相似

PUMD3,135和DCX114YU-7-F的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台