RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W PowerSO-10RF（直引线）
得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER RF Transistor
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Straight lead
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin2+Tab PowerSO-10RF Straight lead Tube
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube
DeviceMart:
IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
频率 500 MHz
额定电流 5 A
极性 N-Channel
耗散功率 73 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输出功率 15 W
增益 14 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 89pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 73000 mW
额定电压 40 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
长度 7.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PD55015S-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PD55015-E 意法半导体 | 完全替代 | PD55015S-E和PD55015-E的区别 |
PD55015TR-E 意法半导体 | 类似代替 | PD55015S-E和PD55015TR-E的区别 |
PD55015STR-E 意法半导体 | 类似代替 | PD55015S-E和PD55015STR-E的区别 |