PD85025C

PD85025C图片1
PD85025C图片2
PD85025C图片3
PD85025C概述

RF功率晶体管 - LDMOST家庭 RF power transistor - LdmoST family

Use this specially engineered RF amplifier from STMicroelectronics as a switching device in your electronic circuit design. Its maximum power dissipation is 93000 mW. Its maximum frequency is 1000 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.


得捷:
FET RF 40V 945MHZ M243


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243 Box


DeviceMart:
TRANS RF N-CH LDMOST M243


PD85025C中文资料参数规格
技术参数

频率 945 MHz

耗散功率 93000 mW

输出功率 10 W

增益 17.5 dB

测试电流 300 mA

输入电容Ciss 49pF @12.5VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 93000 mW

额定电压 40 V

封装参数

引脚数 3

封装 M-243

外形尺寸

封装 M-243

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PD85025C
型号: PD85025C
描述:RF功率晶体管 - LDMOST家庭 RF power transistor - LdmoST family
替代型号PD85025C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD85025C

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

PD85025-E

意法半导体

功能相似

PD85025C和PD85025-E的区别

PD85025TR-E

意法半导体

功能相似

PD85025C和PD85025TR-E的区别

PD85025STR-E

意法半导体

功能相似

PD85025C和PD85025STR-E的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台