RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 17dB 8W PowerSO-10RF（成形引线）
得捷:
TRANSISTOR RF POWERSO-10
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 4A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead T/R
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R
Verical:
Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR RF POWERSO-10
频率 500 MHz
耗散功率 52.8 W
输入电容 58 pF
漏源极电压Vds 40 V
输出功率 8 W
增益 17 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 58pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 52800 mW
额定电压 40 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
长度 9.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PD55008TR-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PD55008-E 意法半导体 | 完全替代 | PD55008TR-E和PD55008-E的区别 |
PD55008STR-E 意法半导体 | 完全替代 | PD55008TR-E和PD55008STR-E的区别 |
PD55008S 意法半导体 | 类似代替 | PD55008TR-E和PD55008S的区别 |