PD55035STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD55035STR-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 12.5V 200mA 500MHz 16.9dB 35W PowerSO-10RF Straight Lead

得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

PD55035STR-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 95000 mW

输出功率 35 W

增益 16.9 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 92pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 95000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD55035STR-E

型号： PD55035STR-E

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

替代型号PD55035STR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD55035STR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD55035S-E 意法半导体	完全替代	PD55035STR-E和PD55035S-E的区别
PD55035-E 意法半导体	类似代替	PD55035STR-E和PD55035-E的区别
PD55035S 意法半导体	功能相似	PD55035STR-E和PD55035S的区别