PTFB211501EV1R250XTMA1

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PTFB211501EV1R250XTMA1概述

Trans MOSFET N-CH 65V 3Pin H-36248 T/R

* Broadband internal matching * Typical single-carrier WCDMA performance at 2170 MHz, 30 V, IDQ = 1.2 A, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF * Average output power = 40 W * Linear Gain = 18 dB * Efficiency = 32% * Adjacent channel power = –34 dBc * Typical CW performance, 2170 MHz, 30 V - Output power at P–1dB = 150 W - Efficiency = 55% * Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 2 minimum * Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V, 150 W CW output power * Pb-Free and RoHS compliant

PTFB211501EV1R250XTMA1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 40 W

增益 18 dB

测试电流 1.2 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 H-36248-2

外形尺寸

封装 H-36248-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTFB211501EV1R250XTMA1
型号: PTFB211501EV1R250XTMA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 65V 3Pin H-36248 T/R

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