PUMD12,135参数规格_中文资料_数据手册PDF

PUMD12,135概述

TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP

得捷:
NOW NEXPERIA PUMD12 - SMALL SIGN

PUMD12,135中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD12,135

型号： PUMD12,135

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PUMD12,135

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PUMD12,135 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PUMD12,115 恩智浦	功能相似	PUMD12,135和PUMD12,115的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PUMD12,135

NXP 恩智浦

当前型号

PUMD12,115

恩智浦

功能相似