PUMD6,135

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PUMD6,135概述

TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP


得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R


PUMD6,135中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD6,135
型号: PUMD6,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSSOP NPN+PNP 50V 100mA
替代型号PUMD6,135
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PUMD6,135

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PUMD6,115

恩智浦

功能相似

PUMD6,135和PUMD6,115的区别

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