PEMD16,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PEMD16,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMD16,115

型号： PEMD16,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-666 T/R

替代型号PEMD16,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PEMD16,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PEMD16 恩智浦	完全替代	PEMD16,115和PEMD16的区别
PUMD16,115 安世	类似代替	PEMD16,115和PUMD16,115的区别
PEMD2,115 恩智浦	类似代替	PEMD16,115和PEMD2,115的区别