PEMB18,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PEMB18,115概述

SOT-666 PNP 50V 100mA

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PEMB18 - SMALL SIGNAL B

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

PEMB18,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMB18,115

型号： PEMB18,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-666 PNP 50V 100mA