PEMB20,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PEMB20,115概述

SOT-666 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

得捷:
TRANSISTORS>100MHZ

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R

PEMB20,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMB20,115

型号： PEMB20,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-666 PNP 50V 100mA

替代型号PEMB20,115