PEMH13,315

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PEMH13,315概述

SOT-666 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA - 300mW Surface Mount SOT-666


得捷:
NOW NEXPERIA PEMH13 - SMALL SIGN


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


PEMH13,315中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMH13,315
型号: PEMH13,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 NPN 50V 100mA
替代型号PEMH13,315
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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