PEMD3,315

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PEMD3,315概述

SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666


得捷:
NOW NEXPERIA PEMD3 - SMALL SIGNA


富昌:
PEMD3 Series NPN/PNP 10 kOhm / 10 kOhm Resistor-Equipped Transistors - SOT-666


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R


PEMD3,315中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SS-Mini-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SS-Mini-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMD3,315
型号: PEMD3,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA
替代型号PEMD3,315
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PEMD3,315

NXP 恩智浦

当前型号

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恩智浦

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