PUMB18,115中文资料参数规格 技术参数
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 180 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PUMB18,115 型号： PUMB18,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：TSSOP PNP 50V 100mA
替代型号PUMB18,115 |
型号/品牌
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代替类型
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替代型号对比
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PUMB18,115
NXP 恩智浦
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当前型号
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当前型号
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