PUMB11,135参数规格_中文资料_数据手册PDF

PUMB11,135概述

TSSOP PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP

得捷:
NOW NEXPERIA PUMB11 - SMALL SIGN

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R

PUMB11,135中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMB11,135

型号： PUMB11,135

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP PNP 50V 100mA

替代型号PUMB11,135

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PUMB11,135 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PUMB11,115 恩智浦	完全替代	PUMB11,135和PUMB11,115的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PUMB11,135

NXP 恩智浦

当前型号

PUMB11,115

恩智浦

完全替代