SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
得捷:
TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-666
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SS-Mini-6
高度 0.6 mm
封装 SS-Mini-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PEMD2,315 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NSBC124EPDXV6T1G 安森美 | 功能相似 | PEMD2,315和NSBC124EPDXV6T1G的区别 |
NSBC124EPDXV6T1 安森美 | 功能相似 | PEMD2,315和NSBC124EPDXV6T1的区别 |