PD55008STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD55008STR-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 17dB 8W PowerSO-10RF（直引线）

得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 4A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Straight lead T/R

PD55008STR-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 52.8 W

输出功率 8 W

增益 17 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 58pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 52800 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 7.5 mm

宽度 9.4 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD55008STR-E

型号： PD55008STR-E

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

替代型号PD55008STR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD55008STR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD55008-E 意法半导体	完全替代	PD55008STR-E和PD55008-E的区别
PD55008TR-E 意法半导体	完全替代	PD55008STR-E和PD55008TR-E的区别
PD55008S-E 意法半导体	完全替代	PD55008STR-E和PD55008S-E的区别