PD55025STR-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD55025STR-E概述

Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

RF Mosfet LDMOS 12.5V 200mA 500MHz 14.5dB 25W PowerSO-10RF Straight Lead

得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

贸泽:
RF MOSFET Transistors POWER R.F.

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

PD55025STR-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 79 W

漏源击穿电压 40 V

输出功率 25 W

增益 14.5 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 86pF @12.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 79000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 7.5 mm

宽度 9.4 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD55025STR-E

型号： PD55025STR-E

描述：Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF Straight lead T/R

替代型号PD55025STR-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD55025STR-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD55025-E 意法半导体	完全替代	PD55025STR-E和PD55025-E的区别
PD55025S-E 意法半导体	功能相似	PD55025STR-E和PD55025S-E的区别
PD55025TR-E 意法半导体	功能相似	PD55025STR-E和PD55025TR-E的区别