



RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**
**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**
**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**
VHF / UHF radio applications
**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**
**UHF TV and digital cellular BTS applications**
**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**
频率 945 MHz
极性 N-Channel
耗散功率 31700 mW
漏源击穿电压 65.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输出功率 18 W
增益 16.5 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 34.5pF @28VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 31700 mW
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PD57018 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PD57018TR-E 意法半导体 | 完全替代 | PD57018和PD57018TR-E的区别 |
PD57018STR-E 意法半导体 | 完全替代 | PD57018和PD57018STR-E的区别 |