射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.
RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 945MHz 14.5dB 45W PowerSO-10RF Straight Lead
得捷:
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 5A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Straight lead Tube
频率 945 MHz
耗散功率 73 W
输出功率 45 W
增益 14.5 dB
测试电流 250 mA
输入电容Ciss 86pF @28VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 73000 mW
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
长度 7.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
工作温度 -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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