PD54003S-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

PD54003S-E概述

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

RF Mosfet LDMOS 7.5V 50mA 500MHz 12dB 3W PowerSO-10RF Straight Lead

得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

贸泽:
RF MOSFET Transistors POWER R.F.

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 4A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead Tube

PD54003S-E中文资料参数规格

技术参数

频率 500 MHz

耗散功率 52.8 W

漏源击穿电压 25 V

输出功率 3 W

增益 12 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 59pF @7.5VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 52800 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 7.5 mm

宽度 9.4 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PD54003S-E

型号： PD54003S-E

描述：RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

替代型号PD54003S-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PD54003S-E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
PD54003-E 意法半导体	类似代替	PD54003S-E和PD54003-E的区别
PD54003L-E 意法半导体	功能相似	PD54003S-E和PD54003L-E的区别
PD54003L 意法半导体	功能相似	PD54003S-E和PD54003L的区别