IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
RF Mosfet LDMOS 28V 150mA 960MHz 18.5dB 10W H-32259-2
得捷: FET RF 65V 960MHZ H-32259-2
艾睿: Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 32259
频率 960 MHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 1 µA
漏源极电压Vds 65.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 µA
输出功率 10 W
增益 18.5 dB
测试电流 150 mA
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 58000 mW
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 H-32259-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册