RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 2.14GHz 16dB 12W H-37265-2
得捷: IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
贸泽: RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
频率 2.14 GHz
额定电流 10 µA
耗散功率 196 W
漏源击穿电压 65 V
输出功率 12 W
增益 16 dB
测试电流 550 mA
工作温度Max 150 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
封装 H-37265-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册