PTFA043002E V1参数规格_中文资料_数据手册PDF

PTFA043002E V1概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

RF Mosfet LDMOS 32V 1.55A 800MHz 16dB 100W H-30275-4

得捷:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

PTFA043002E V1中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电流 10 µA

耗散功率 761 W

输出功率 100 W

增益 16 dB

测试电流 1.55 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 H-30275-4

外形尺寸

长度 41.15 mm

宽度 10.16 mm

高度 4.55 mm

封装 H-30275-4

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PTFA043002E V1

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8