IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2
得捷: FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
频率 1.99 GHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 1 µA
漏源极电压Vds 65.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 µA
输出功率 10 W
增益 19 dB
测试电流 180 mA
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
封装 H-32259-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册