
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 2400-2700MHz
RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.68GHz 16dB 10W H-32259-2
得捷:
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
贸泽:
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W 2400-2700 MHz
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 32259
频率 2.68 GHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 1 µA
漏源极电阻 830 mΩ
耗散功率 58 W
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65 V
连续漏极电流Ids 1.00 µA
输出功率 10 W
增益 16 dB
测试电流 180 mA
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 58000 mW
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 H-32259-2
封装 H-32259-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free