PTFA212401E V4参数规格_中文资料_数据手册PDF

PTFA212401E V4概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

RF Mosfet LDMOS 30V 1.6A 2.14GHz 15.8dB 50W H-36260-2

得捷:
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

Win Source:
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

PTFA212401E V4中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

额定电流 10 µA

耗散功率 761 W

输出功率 50 W

增益 15.8 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 150 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 H-36260-2

外形尺寸

长度 34.04 mm

宽度 13.72 mm

高度 4.11 mm

封装 H-36260-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PTFA212401E V4

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8