RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.68GHz 15dB 45W H-30265-2
得捷: IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
贸泽: RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8
频率 2.68 GHz
额定电压DC 65.0 V
额定电流 10 µA
漏源极电阻 160 mΩ
耗散功率 199 W
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65 V
连续漏极电流Ids 1.00 µA
输出功率 45 W
增益 15 dB
测试电流 500 mA
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 40 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
封装 H-30265-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册