






频率 100 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PEMT1,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PEMT1 恩智浦 | 类似代替 | PEMT1,115和PEMT1的区别 |
PEMT1,315 恩智浦 | 功能相似 | PEMT1,115和PEMT1,315的区别 |