PDTA114YM,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA114YM,315概述

DFN PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3

得捷:
NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin DFN T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-101 T/R

PDTA114YM,315中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883-3

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SOT-883-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA114YM,315

型号： PDTA114YM,315

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN PNP 50V 100mA