PDTC115EM,315

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PDTC115EM,315概述

DFN NPN 50V 20mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount DFN1006-3


得捷:
NOW NEXPERIA PDTC115EM - SMALL S


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin DFN T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 3-Pin DFN T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883


PDTC115EM,315中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-883

外形尺寸

高度 0.47 mm

封装 SOT-883

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC115EM,315
型号: PDTC115EM,315
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN NPN 50V 20mA
替代型号PDTC115EM,315
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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