PN2222AG参数规格_中文资料_数据手册PDF

PN2222AG概述

通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

Features

•Pb−Free Packages are Available

得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 75V NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box

Allied Electronics:
SS T092 GP XSTR NPN 60V -LEAD FREE

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box

PN2222AG中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

热阻 83.3℃/W RθJC

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PN2222AG

型号： PN2222AG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

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