PDTA123JQAZ

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PDTA123JQAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 440 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 440 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA123JQAZ
型号: PDTA123JQAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 50V 100mA

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