PDTD123TT,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTD123TT,215概述

PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路

Bipolar BJT Transistor

得捷:
NEXPERIA PDTD123TT - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB /

PDTD123TT,215中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTD123TT,215

型号： PDTD123TT,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路

替代型号PDTD123TT,215