PBSS5140T,215

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PBSS5140T,215概述

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1A 150MHz 450mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
TRANS PNP 40V 1A SOT23


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PBSS5140T 系列 40 V 1 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
TRANS PNP 40V 1A SOT23


PBSS5140T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.45 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 450 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 0.45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5140T,215
型号: PBSS5140T,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS5140T,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5140T,215

NXP 恩智浦

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