频率 50 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PMSTA42,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMSTA42 恩智浦 | 类似代替 | PMSTA42,115和PMSTA42的区别 |
MMSTA42-7-F 美台 | 功能相似 | PMSTA42,115和MMSTA42-7-F的区别 |
MSD42WT1G 安森美 | 功能相似 | PMSTA42,115和MSD42WT1G的区别 |