PBRP113ET,215参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PBRP113ET,215中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.57 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 130 @300mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBRP113ET,215

型号： PBRP113ET,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：TO-236AB PNP 40V 600mA

替代型号PBRP113ET,215

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PBRP113ET,215 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PBRP113ZT,215 恩智浦	类似代替	PBRP113ET,215和PBRP113ZT,215的区别
DTA124EKAT146 罗姆半导体	功能相似	PBRP113ET,215和DTA124EKAT146的区别
DTB114EKT146 罗姆半导体	功能相似	PBRP113ET,215和DTB114EKT146的区别