PIMD3,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PIMD3,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-457-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PIMD3,115

型号： PIMD3,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PIMD3 系列 NPN / PNP 50 V 100 mA 配备电阻晶体管 -SOT-457

替代型号PIMD3,115

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NXP 恩智浦

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