PEMB9,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PEMB9,115图片1

PEMB9,115图片2

PEMB9,115图片3

PEMB9,115图片4

PEMB9,115图片5

PEMB9,115图片6

PEMB9,115图片7

PEMB9,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMB9,115

型号： PEMB9,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-666 PNP 50V 100mA

替代型号PEMB9,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PEMB9,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PEMB9,315 恩智浦	完全替代	PEMB9,115和PEMB9,315的区别
NSBA114YDXV6T1G 安森美	功能相似	PEMB9,115和NSBA114YDXV6T1G的区别
NSBA114TDXV6T1G 安森美	功能相似	PEMB9,115和NSBA114TDXV6T1G的区别