PBSS3540E,115

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PBSS3540E,115概述

SC-75 PNP 40V 0.5A

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 500mA 300MHz 250mW Surface Mount SC-75


得捷:
TRANS PNP 40V 0.5A SC75


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.5A Automotive 3-Pin SC-75 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.5A 3-Pin SC-75 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.5A 3-Pin SC-75 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.5A Automotive 3-Pin SC-75 T/R


Win Source:
TRANS PNP 40V 0.5A SC75


PBSS3540E,115中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS3540E,115
型号: PBSS3540E,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-75 PNP 40V 0.5A
替代型号PBSS3540E,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS3540E,115

NXP 恩智浦

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