PEMD30,115

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PEMD30,115概述

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6Pin SOT-666 T/R

General description

NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors RET in Surface-Mounted Device SMD plastic packages.

Features

■ 100 mA output current capability

■ Built-in bias resistors

■ Simplifies circuit design

■ Reduces component count

■ Reduces pick and place costs

Applications

■ Low current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Cost-saving alternative for BC847BPN and BC847BVN

■ Switching loads


得捷:
TRANS NPN/PNP W/RES 50V SOT666


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


PEMD30,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN, PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SS-Mini-6

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SS-Mini-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PEMD30,115
型号: PEMD30,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6Pin SOT-666 T/R
替代型号PEMD30,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PEMD30,115

NXP 恩智浦

当前型号

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