PIMD2,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PIMD2,115图片1

PIMD2,115图片2

PIMD2,115图片3

PIMD2,115图片4

PIMD2,115图片5

PIMD2,115图片6

PIMD2,115图片7

PIMD2,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PIMD2,115

型号： PIMD2,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSOP NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PIMD2,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PIMD2,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PIMD2 恩智浦	类似代替	PIMD2,115和PIMD2的区别
NSBC124EPDXV6T1G 安森美	功能相似	PIMD2,115和NSBC124EPDXV6T1G的区别
NSBC124EPDXV6T5G 安森美	功能相似	PIMD2,115和NSBC124EPDXV6T5G的区别