PMST5550,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PMST5550,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 60 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMST5550,115

型号： PMST5550,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SC-70 NPN 140V 0.3A

替代型号PMST5550,115

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NXP 恩智浦

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PMST5550,135

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完全替代

PMST5550,115和PMST5550,135的区别

PMST5551,115

恩智浦

类似代替

PMST5550,115和PMST5551,115的区别