PUMT1,115

PUMT1,115图片1
PUMT1,115图片2
PUMT1,115图片3
PUMT1,115图片4
PUMT1,115图片5
PUMT1,115图片6
PUMT1,115图片7
PUMT1,115图片8
PUMT1,115图片9
PUMT1,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMT1,115
型号: PUMT1,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PUMT1,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PUMT1,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PUMT1

恩智浦

类似代替

PUMT1,115和PUMT1的区别

BC857BDW1T1G

安森美

功能相似

PUMT1,115和BC857BDW1T1G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司