SC-75 PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 180 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
高度 0.85 mm
封装 SC-75
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTA143EE,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2132LT1G 安森美 | 功能相似 | PDTA143EE,115和MMUN2132LT1G的区别 |
DTA143ZET1G 安森美 | 功能相似 | PDTA143EE,115和DTA143ZET1G的区别 |