PBRN113ZT,215中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 570 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 700mA
最小电流放大倍数hFE 500 @300mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 570 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PBRN113ZT,215
型号： PBRN113ZT,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NPN 晶体管，NXP ### 数字晶体管，NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号PBRN113ZT,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBRN113ZT,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBRN123YT,215 恩智浦 | 完全替代 | PBRN113ZT,215和PBRN123YT,215的区别 |
PBRN113ET,215 恩智浦 | 类似代替 | PBRN113ZT,215和PBRN113ET,215的区别 |