PUMD17,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PUMD17,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD17,115

型号： PUMD17,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP NPN+PNP 50V 100mA

替代型号PUMD17,115

型号/品牌

代替类型

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