PDTB114ETVL

PDTB114ETVL图片1
PDTB114ETVL图片2
PDTB114ETVL图片3
PDTB114ETVL图片4
PDTB114ETVL中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 460 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 320 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 140 MHz

耗散功率Max 460 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB114ETVL
型号: PDTB114ETVL
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB PNP 50V 500mA

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司