PMEG6010AESBYL

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PMEG6010AESBYL中文资料参数规格
技术参数

正向电压 625mV @1A

耗散功率 1780 mW

反向恢复时间 2.4 ns

正向电流Max 1.4 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150 ℃

耗散功率Max 1780 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 XDFN-2

外形尺寸

高度 0.27 mm

封装 XDFN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: PMEG6010AESBYL
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode Schottky 60V 1.4A 2Pin DSN T/R

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