PDTB113EUF

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PDTB113EUF中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 425 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 140 MHz

耗散功率Max 425 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB113EUF
型号: PDTB113EUF
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-70 PNP 50V 500mA

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